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光电二极管Photo-Diode和普通二极管一样也是由一个PN结组成的半导体器件也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
普通二极管在反向电压作用时处于截止状态只能流过微弱的反向电流光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的没有光照时反向电流极其微弱叫暗电流有光照时反向电流迅速增大到几十微安称为光电流。光的强度越大反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化这就可以把光信号转换成电信号成为光电传感器件。
检测方法 ①电阻测量法 用万用表1k挡。光电二极管正向电阻约10KΩ左右。在无光照情况下反向电阻为∞时这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大)有光照时反向电阻随光照强度增加而减小阻值可达到几kΩ或1kΩ以下则管子是好的若反向电阻都是∞或为零则管子是坏的。 ②电压测量法 用万用表1V档。用红表笔接光电二极管“”极黑表笔接“—”极在光照下其电压与光照强度成比例一般可达02—04V。 ③短路电流测量法 用万用表50μA档。用红表笔接光电二极管“”极黑表笔接“—”极在白炽灯下(不能用日光灯)随着光照增强其电流增加是好的短路电流可达数十至数百μA。
光敏电阻photoresistor or light-dependent resistor后者缩写为ldr或光导管photoconductor常用的制作材料为硫化镉另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电在外加电场的作用下作漂移运动电子奔向电源的正极空穴奔向电源的负极从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
