网站和新媒体建设管理办法,苏州住房城乡建设部网站,免费企业网站源码大全,wordpress免签DRAM#xff0c;动态随机存取存储器#xff0c;需要不断的刷新#xff0c;才能保存数据。而且是行列地址复用的#xff0c;许多都有页模式。 SRAM#xff0c;静态的随机存取存储器#xff0c;加电情况下#xff0c;不需要刷新#xff0c;数据不会丢失#xff0c;而且…DRAM动态随机存取存储器需要不断的刷新才能保存数据。而且是行列地址复用的许多都有页模式。 SRAM静态的随机存取存储器加电情况下不需要刷新数据不会丢失而且一般不是行列地址复用的。 SDRAM同步的DRAM即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM但是现在SDRAM的速度也已经很快了时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例它的时钟周期是7.5ns当CAS latency2 时它需要12个周期完成8个突发读操作10个周期完成8个突发写操作。不过如果以交替方式访问BankSDRAM可以在每个周期完成一个读写操作当然除去刷新操作。其实现在的主流高速存储器是SSRAM同步SRAM和SDRAM同步DRAM。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片最大工作速度是166MHz可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片最大工作速度是133MHz。 SRAM是Static Random Access Memory的缩写中文含义为静态随机访问存储器它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAMDRAM不同DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后我们不应将SRAM与只读存储器ROM和Flash Memory相混淆因为SRAM是一种易失性存储器它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问而不管前一次访问的是哪一个位置。 SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM不应该与SDRAM相混淆SDRAM代表的是同步DRAMSynchronous DRAM这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体管的类型分SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAMSSRAM。异步SRAM的访问独立于时钟数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。 DRAM动态随机存取存储器需要不断的刷新才能保存数据。而且是行列地址复用的许多都有页模式。 SRAM静态的随机存取存储器加电情况下不需要刷新数据不会丢失而且一般不是行列地址复用的。
SDRAM同步的DRAM即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容不包括行读出放大器等而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题容量较SRAM大但是读写速度不如SRAM。一个是静态的一个是动态的静态的是用的双稳态触发器来保存信息而动态的是用电子要不时的刷新来保持。 内存即随机存贮器RAM可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。 SRAM其实是一种非常重要的存储器它的用途广泛。SRAM的速度非常快在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
