开发一套电商网站多少钱,电子商务网站建设论文摘要,哈尔滨市人社app,网上购物软件排行榜根据ST的手册#xff0c;我们可以看到#xff0c;外挂EEPROM和Dflash模拟EEPROM#xff0c;区别如下#xff1a; 很明显#xff0c;模拟EEprom的写入速度要远远快于外挂eeprom(有数据传输机制)#xff1b; 其次#xff0c;外挂EEPROM不需要擦除即可实现写入数据#xf… 根据ST的手册我们可以看到外挂EEPROM和Dflash模拟EEPROM区别如下 很明显模拟EEprom的写入速度要远远快于外挂eeprom(有数据传输机制) 其次外挂EEPROM不需要擦除即可实现写入数据而模拟EEProm需要写之前擦除由于Flash编程和擦除操作是相当长的时间电源故障和其他可能中断擦除过程的异常事件(如重置)需要在设计Flash内存管理软件时考虑。
1.模拟EEPROM实现原理 模拟EEPROM需要考虑产品要求和Flash IP特性ST提出了一种方法需要NVM中两组Flash page。 第一组page在最初已经被擦除了用于存储新的数据Flash编程操作按照地址递增进行一旦第一组page被数据填充满该page就需要进行数据垃圾回收即擦除 第二组page仅用于收集第一组page中的有效数据并且剩余的区域可以用于存储新的数据一旦第一组的有效数据传给了第二组第一组page就可以被擦除了。 注意每一组page都可以由多个flash page构成。每个page的前32byte(64byte)用于存储当前page状态状态共有5种如下 状态 描述 备注 ERASED 该page为空没有存储数据 RECEIVE 当前page从其他已满的page中接收数据 ACTIVE 当前page用于存储新数据 VALID Page已满该状态会一直持续到有效数据传递给接收page完成 ERASING 有效数据已经传完当前page准备擦除
以下图为例 初始时刻第一组page中page0page1状态分别为ACTIVE(没有满可以继续存储新数据)ERASED(空状态)第二组page中page2、3为ERASED 当写入一个完整page1大小数据时Page0状态变为VALID(已经满了该写page1了)page状态变为ACTIVE为什么page0状态没有变为ERASING原因在于第一组page还没有满相当于逻辑的page没有满用户可见实际的page满了flash的物理page存满了因为第一组page没有满所以第二组page还是ERASED状态 当page1也写满时第一组page全部写满那么此时第二组page中的page2状态变为RECEIVE(正在接收有效数据)这里有效数据如何定义数据是按flash地址排列因此最开始page3状态不变因为page2还没有写满 如果有效数据超过1个page物理那么page2状态会变为VALIDpage3变为ACTIVE 当擦除完成后软件得到flash 擦除完成标志位第一组page状态均变为ERASED。 上图为状态迁移流程图。
2.Page和存储数据格式 根据STM32描述大部分的最小写入位宽为64bit(128bit for STM32U5)且因为表示状态的HEADER为4个double words(32bytes4*8byte )STM为8个word因此如果一个芯片物理page大小为2K那么可以写入252个元素(252*8 2*1024 - 32)数据相当于一个元素就占用了8个byte为什么要这样设计参见下文的CRC Page状态通过如下格式来定义以4个word为例 状态 ERASED 0x FFFF FFFF FFFF FFFF RECEIVE 0x xxxx FFFF FFFF FFFF ACTIVE 0x FFFF yyyy FFFF FFFF VALID 0x FFFF FFFF zzzz FFFF ERASING 0x FFFF FFFF FFFF aaaa 每个变量元素都由一个虚拟地址和一个存储在Flash中的数据值定义以供后续检索或更新。在实际使用中有可能虚拟地址为16bit数据长度8bit、16bit或者32bit。当数据被修改时与同一虚拟地址相关联的修改后的数据被存储在一个新的flash位置中。数据检索返回最新的数据值。数据格式如下 3.Demo
现有如下变量需要存储到flash中 很明显现只需要两个page即可完成模拟。 数据读访问是从ACTIVE或者VALID page从高地址向低地址开始读取。 如果数据是在给定的虚拟地址上最新写入的数据并且使用CRC的完整性检查通过则认为数据有效。还要注意在数据传输机制中只复制有效数据。
4.数据粒度管理 需要存储到模拟EEPROM的数据通常应用需求决定例如传感器、通信接口数据 常见的数据粒度有byte、half-word、word。 这里可以思考Fee如何实现数据空间位置优化
5.磨损均衡算法和Flash page 分配 磨损均衡算法监控以及平均分配了flash page写和擦除操作的使用频率 没有磨损均衡算法之前page使用频率不会相同例如有些数据会经常更新例如DTC而一些数据则不会频繁更新例如VIN码等很明显、存DTC的Flash会经常擦写、而存VIN这些DID的会很久或者几乎不会修改。那么磨损均衡算法就是来解决这种矛盾保证flash所有page的所有可用擦写次数都得到利用。 所有在3Demo章节中采用了按照地址递增的方式进行数据存储不管用户存的变量是什么当一个page满了之后再保存有效数据到下个page擦除当前页 可以这么理解现在要存3个DTC和1个DID磨损均衡算法都首先用active的page进行存储DID存放之后不怎么变化但是DTC每次上下电都有可能存储因此会继续沿着当前page地址递增存储DTC直到该page存满。 磨损均衡算法提高模拟EEPROM使用寿命 在知道了模拟EEPROM的要求大小和目标使用次数就有可能计算出用于该目的的Flash大小。
6.计算所需要的模拟EEPROM内存空间大小 那么如何计算参考如下公式 假设现在要存放4000个独立byte已知当前flash endurance 10kcycles目标为100kcycle每一个page可以存储252个8byte的元素 故需要4000/252≈16个page因此一组page个数为32再加上需要100kcycle的耐久度所以还需要乘以10故总共需要的size为32*10320个page 注这里的page为实际的物理sector。 如果是按CS的DFLASH来算一个sectorpage1K。一个page可以存124个元素故存4000个独立byte需要4000/124 33个sector那么要实现模拟EEPROM就至少需要66*10660个sector我们的DFLASH大小明显不符合要求故需要重新设计存储数据格式。
