规划建网站步骤,企业邮箱价格,营业执照年审登录入口官网,网站建设方案书 下载日前消息指光刻机巨头ASML预计明年量产10台第二代EUV光刻机#xff0c;其中6台已确定被美国芯片企业Intel夺下#xff0c;剩下的两台将由三星和台积电竞争#xff0c;如此一来拿到更多第二代EUV光刻机的美国可望率先量产2纳米#xff0c;反超台积电。 一、第二代EUV光刻机的… 日前消息指光刻机巨头ASML预计明年量产10台第二代EUV光刻机其中6台已确定被美国芯片企业Intel夺下剩下的两台将由三星和台积电竞争如此一来拿到更多第二代EUV光刻机的美国可望率先量产2纳米反超台积电。 一、第二代EUV光刻机的重要性 目前台积电和三星都是以第一代EUV光刻机生产3纳米工艺导致它们的良率偏低。台积电生产的3纳米采用FinFET技术保守的态度确保3纳米工艺的良率达到55%却也导致性能偏低生产的A17处理器性能仅提升一成而功耗过高。 三星激进地采用GAA技术3纳米工艺的性能应该会更高但是3纳米良率却低至两成以下过低的良率导致三星的3纳米工艺至今没有芯片采用当然台积电的良率虽然高一些却也达到5纳米以上工艺的九成以上良率成本也高。 导致如此结果的原因之一就是第一代EUV光刻机并不适合用于生产3纳米工艺光刻机已是芯片工艺最重要的设备为此ASML早就已推进第二代EUV光刻机的研发第二代EUV光刻机可以用于3纳米以下工艺。 不过第二代EUV光刻机的技术难度太高需要全球5000家企业配合才能生产出来导致ASML的研发进程缓慢量产难度也大预计明年只能生产10台第二代EUV光刻机之后也只能增产到每年20台。 二、美国图谋台积电 数年前美国就要求台积电上交机密数据随即还要求台积电、三星等赴美设厂并以520亿美元芯片补贴作为诱惑最终促使它们顺从。 不过随着台积电和三星在美国的工厂推进美国承诺的芯片补贴最终只是给了台积电10%三星给13%超过七成的芯片补贴都给了美国本土的Intel、美光等随后又给出芯片补贴细则要求共享技术、利润等变相促使台积电和三星舍弃补贴。 不给芯片补贴对于台积电来说可能还是小事核心技术机密的泄露才是台积电等更担忧的事情随着台积电交出机密数据Intel的7纳米工艺就迅速推进Intel的7纳米工艺被认为等同于台积电的4纳米工艺如此的巧合让人深思。 Intel此前在14纳米工艺量产后在10纳米、7纳米工艺的研发方面都遭遇了巨大的困难足足延迟了9年时间才量产7纳米工艺而同期台积电的芯片工艺却从落后于Intel到如今遥遥领先。 很显然美国的目的最终还是帮助美国本土的Intel确保技术领先优势再到如今获取6台第二代EUV光刻机加速推进2纳米工艺也就意味着美国即将重夺芯片制造工艺技术领先优势。 三、美国重夺芯片制造技术优势 台积电虽然已量产3纳米工艺但是由于现有的第一代EUV光刻机并不适合生产3纳米工艺当然更不适合生产更先进的2纳米工艺这对台积电来说正带来巨大的困难。 据悉台积电已计划不断改良3纳米工艺2024年有N3E、N3P2025年有N3X似乎显示出它也认识到2纳米工艺研发的难度很大由此而不得不断延续3纳米工艺的寿命预计2纳米工艺得在2026年量产。 这一切是如此熟悉当年Intel在量产14纳米工艺之后10纳米工艺推进困难就不断在14纳米工艺上挤牙膏直到2019年量产10纳米这样的时间给予台积电反超的机会如今台积电在3纳米工艺上陷入停滞Intel反超也就有希望。 Intel在明年获取10台第二代EUV光刻技的6台有了更先进的光刻机Intel很可能将在2025年量产2纳米比台积电提前一年取得技术领先优势。 美国多年来为了确保自己的技术优势一再采取了类似的手段1990年代日本芯片曾占全球芯片市场五成份额在美国的压制下日本芯片迅速衰败到如今仅占全球芯片市场10%的份额还有阿尔斯通事件最终确保了美国通用重夺电气市场的优势如今芯片技术一如以往。
