南京企业网站排名优化,兰州百度公司网站建设,黑龙江建设网ca锁,网站的好处1、实验Flash在线编程实验一实验目的1进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编、C语言、调试方式。2进一步学习SCI通信的内容。3掌握Flash存储器在线编程的基本概念。4熟悉GP32芯片Flash存储器的在线编程擦除和写入的步骤。5理解课本中的程序代码。二预习要求1仔细阅读本实验…1、实验Flash在线编程实验一实验目的1进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编、C语言、调试方式。2进一步学习SCI通信的内容。3掌握Flash存储器在线编程的基本概念。4熟悉GP32芯片Flash存储器的在线编程擦除和写入的步骤。5理解课本中的程序代码。二预习要求1仔细阅读本实验指导书。2通过预习熟悉GP32芯片flash在线编程的方法。3根据实验内容要求编写好程序为实验做充分地准备。三实验设备及其连接1PC机一台2MT-IDE嵌入式开发系统一台3串行通信线一根四实验内容1理解Flash在线编程的原理和过程。2运行与理解各子程序。3主程序运行课本的样例程序。4编制一个程序。通过PC机的串口将数据发送到MCU然后将接收到的数据写入到flash中以地址0x8000开始的一页。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。五编程提示1按照结构要求写好编程代码和注释。2在对Flash擦除和写入时要严格按照手册上的时序和步骤来编制子程序。(1)页擦除操作下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节): $2FLCR(1ERASE位0MASS位):进行页面擦除 读Flas。2、h块保护寄存器FLBPR 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值为方便起见一般向待擦除页首地址写入0 延时tnvs(10s) $AFLCR(1HVEN位) 延时terase(1ms) $8FLCR(0ERASE位) 延时tnvh(5s) $0FLCR(0HVEN位) 延时trcv(1s)完成一页的擦除操作。(2)整体擦除操作下面过程擦除GP32的整个Flash区域以便把新的程序装入Flash存储器这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。 6FLCR(1ERASE位1MASS位):进行整体擦除 Flash块保护寄存器FLBPR 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值为方便起见一般向首地址写入0 延时tnvs(10s) $EFLCR(1HVEN位、MASS位、ERASE位) 延时tMerase(4ms) $CFLCR(0ERASE位) 延时tnvhl(100s) $0FLCR(0HVEN位、MASS位) 延时trcv(1s)完成整体擦除操作。(3)编程操作MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64。3、字节)为单位进行的。当然一次写入可以小于一行但不能大于一行。对于已经写过的部分未经擦除不能重新写入变更其数据否则将引起数据出错。写入过程如下:a. $1FLCR(1PGM位)b. 读Flash块保护寄存器FLBPRc. 向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值为方便起见一般向行首地址写入0这一步选定了所要编程的行以下的目标地址必需在这一行中d. 延时tnvs(10s)e. $9FLCR(1HVEN位)f. 延时tpgs(5s)g. 待写数据写入对应的Flash地址h. 延时tprog(30s)完成一个字节的写入(编程)工作i. 重复g、h直至同一行内各字节写入完毕j. $8FLCR(0PGM位)k. 延时tnvh(5s)l. $0FLCR(0HVEN位)m. 延时trcv(1s)以后完成本行写入工作可以读出校验。3在实际调用擦除或写入子程序时由于要对flash加高压此时对flash的读写是不稳定的所以要将其移到ram区执行。六实验报告要求1小结GP32的flash编程的原理及方法。2回答下列问题(1)flash在线编程的过程中有哪些注意点(2)当用flash区存储一些需要变动的参数时应如何注意哪些问题。《苏州大学实验报告-实验flash在线编程实验》由会员自***分享可在线阅读更多相关《苏州大学实验报告-实验flash在线编程实验》请在金锄头文库上搜索。
