唐山网站快速排名提升,计算机网络工程师中级职称,成都建设网站首页,网站设计师英文相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品#xff0c;基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低#xff0c;开关损耗小的特点#xff0c;可降低器件损耗、减小产品尺寸#xff0c;从而提升系统效率。而在实际应用中#xff0c;我们发现#xff1a;带辅助… 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低开关损耗小的特点可降低器件损耗、减小产品尺寸从而提升系统效率。而在实际应用中我们发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件它可以进一步降低器件的开关损耗也更有利于分立器件的驱动设计。 引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET避免了驱动回路和功率回路共用源极线路实现了这两个回路的解耦。同时TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减使得碳化硅MOSFETTO-247-4封装的开关速度会比TO-247-3封装的更快开关损耗更小。这种封装多了一个额外的发射极引脚称为开尔文发射极专门用于驱动回路。 通过开尔文发射极管脚配置即使仍然使用相同的续流二极管开关速度可以进一步提高IGBT和二极管的损耗都会减少。因此采用TO-247 4pin增加了整个系统的效率从而降低IGBT器件工作结温。在标准的通孔封装中例如TO-220或TO-247每个引线管脚都有寄生电感。特别是来自发射极引脚的电感它是功率和控制回路的共同部分。 如下图所示功率环路还包括来自集电极引脚的寄生电感以及连接开关器件和直流电容的PCB走线中的电感。栅极回路包括来自栅极引脚和连接栅极和发射极焊盘与栅极电阻和栅极驱动器的PCB走线的电感。 在开通和关断过程中发射极引线电感对有效栅极到发射极电压的影响可分别量化为 由公式1和2可以推断出有效栅极到发射极的电压在开通和关断的瞬时条件下都会被削弱。 在接通和关断的瞬时有效栅极到发射极的电压被衰减。由于这种衰减换向时间被延长导致了更高的开关损耗。 TO-247 4pin封装有一个额外的管脚连接到IGBT的发射极在图中标为E2。该管脚用于连接栅极驱动器也被称为开尔文发射极这个引脚不受来自功率回路的电压衰减影响来自IGBT集电极的电流完全由功率发射器引线E1传导。 TO-247 4pin封装的另一个特点是引脚输出排布它与标准的TO-247-3不同这样做是为了保持高压引脚之间的爬电距离。此外连接到功率回路的引脚C和E1被并排放置控制回路E2和G的引脚也是相邻。 开尔文发射极配置的优势在大电流下这时电流变化率最高。因而在3pin封装中引线电感将使栅极电压衰减最大。因此在电流高于IGBT的额定电流的应用中开关损耗的减少可以高于20%。 引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET避免了驱动回路和功率回路共用源极线路实现了这两个回路的解耦。同时TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减使得碳化硅MOSFETTO-247-4封装的开关速度会比TO-247-3封装的更快开关损耗更小。 因此当您在使用碳化硅MOSFET进行新方案设计时为进一步减小碳化硅MOSFET器件的开关损耗以及便于驱动回路的布局设计建议选择TO-247-4封装的碳化硅MOSFET产品。 登录大大通了解更多详情解锁1500完整应用方案更有大联大700FAE在线答疑解惑
