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在我们应用开发时经常会有一些程序运行参数需要保存如一些修正系数。这些数据的特点是数量少而且不需要经常修改但又不能定义为常量因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数据存在指定的位置需要修改时直接修改存储位置的数值需要使用时则直接读取会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少使用专门的存储单元既不经济也没有必要而STM32F103内部的Flash容量较大而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数实现起来也比较方便。
以大容量产品STM32F103VE为例其Flash容量达到512K可以将其中一部分用作数据存储。如下是大容量的Flash组织模式 根据上面的Flash组织模式我们可以根据自己的使用方便来作相应的定义。因为大容量每个扇区定义为2K而小容量和中容量都定义为1K所以我们做如下宏定义
#define FLASH_SIZE 512 //所选MCU的FLASH容量大小(单位为K)#if FLASH_SIZE256#defineSECTOR_SIZE 1024 //字节
#else#defineSECTOR_SIZE 2048 //字节
#endif
虽然ST的库函数比较全面但都是基本操作为了使用方面根据我们自己的需要对其进行再次封装。
对于读操作相对比较简单内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址就像读取变量一样。
//从指定地址开始读取多个数据
void FLASH_ReadMoreData(uint32_tstartAddress,uint16_t *readData,uint16_t countToRead)
{uint16_tdataIndex;for(dataIndex0;dataIndexcountToRead;dataIndex){readData[dataIndex]FLASH_ReadHalfWord(startAddressdataIndex*2);}
}//读取指定地址的半字(16位数据)
uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
{return*(__IO uint16_t*)address;
}//读取指定地址的全字(32位数据)
uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
{uint32_ttemp1,temp2;temp1*(__IO uint16_t*)address;temp2*(__IO uint16_t*)(address2);return(temp216)temp1;
}
对于写操作相对来说要复杂得多写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了我们只需要调用即可。
STM32复位后FPEC模块是被保护的只有在写保护被解除后我们才能操作相关寄存器。STM32闪存的编程每次必须写入16位任何不是半字的操作都会造成错误。如下图是Flash写的过程 STM32的FLASH在编程的时候也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的也就是其值必须是0XFFFF否则无法写入。Flash的擦除要求必须整页擦除所以也必须整页写入否则可能会丢失数据。如下图是Flash页擦除过程 如下为Flash全擦除过程 根据以上图示我们便写数据写入函数如下
//从指定地址开始写入多个数据
void FLASH_WriteMoreData(uint32_tstartAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite)
{if(startAddressFLASH_BASE||((startAddresscountToWrite*2)(FLASH_BASE1024*FLASH_SIZE))){return;//非法地址}FLASH_Unlock(); //解锁写保护uint32_toffsetAddressstartAddress-FLASH_BASE; //计算去掉0X08000000后的实际偏移地址uint32_tsectorPositionoffsetAddress/SECTOR_SIZE; //计算扇区地址对于STM32F103VET6为0~255uint32_tsectorStartAddresssectorPosition*SECTOR_SIZEFLASH_BASE; //对应扇区的首地址FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除这个扇区uint16_tdataIndex;for(dataIndex0;dataIndexcountToWrite;dataIndex){FLASH_ProgramHalfWord(startAddressdataIndex*2,writeData[dataIndex]);}FLASH_Lock();//上锁写保护
}
在擦除之前应该将页面上的数据读取出来与要写入的数据合并待擦除后再写入但这样数据量很大大容量是2K一个扇区所以考虑到是少量数据存储所以每次都将全部数据同时写入简化操作也减少数据处理量。经测试以上程序写入和读出数据均正确可以实现内部Flash的读写操作。需要更深入了解可以参考《STM32F10xxx 闪存编程参考手册》。
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