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它是一种MOS场效应晶体管可以提高系统效率和功率密度。该技术采用了屏蔽栅极技术可以减少开关损耗和导通损耗从而提高了系统效率。此外PowerTrench® MOSFET还具有低导通电阻和高开关速度的特点可以提高系统的功率密度。
P沟道
是一种MOS场效应管它的源极S接输入漏极D导通输出与N沟道相反。当P沟道的栅极电压低于阈值电压时无法形成导电沟道管子处于截止状态。只有当栅极电压高于阈值电压时才有沟道形成。这种必须在栅极电压高于阈值电压时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型P沟道MOS管。沟道形成以后在漏极和源极间加上正向电压就有漏极电流产生。
FDG6306P 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。 特性
1.-0.6 A、-20 V。
2.RDS(ON) 420 mΩ VGS –4.5 V
3.RDS(ON) 630 mΩ VGS –2.5 V
4.低栅极电荷
5.高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
6.紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
应用领域
变频器
工业逆变器
不间断电源
感应加热
新能源汽车
