网站设计制作好么,网站开发技术孵化,it培训机构都有哪些,做网站宜宾IGBT基础与运用-1尝试去计算IGBT的开启过程#xff0c;主要是时间和门电阻的散热情况。C.GE 栅极-发射极电容C.CE 集电极-发射极电容C.GC 门级-集电极电容(米勒电容)Cies CGE CGC 输入电容Cres CGC 反向电容Coes CGC CCE 输出电容根据充电的详细过程#xff0c;可以下图…IGBT基础与运用-1尝试去计算IGBT的开启过程主要是时间和门电阻的散热情况。C.GE 栅极-发射极电容C.CE 集电极-发射极电容C.GC 门级-集电极电容(米勒电容)Cies CGE CGC 输入电容Cres CGC 反向电容Coes CGC CCE 输出电容根据充电的详细过程可以下图所示的过程进行分析对应的电流可简单用下图所示第1阶段栅级电流对电容CGE进行充电栅射电压VGE上升到开启阈值电压VGE(th)。这个过程电流很大甚至可以达到几安培的瞬态电流。在这个阶段集电极是没有电流的极电压也没有变化这段时间也就是死区时间由于只对GE电容充电相对来说这是比较容易计算的由于我们采用电压源供电这段曲线确实是一阶指数曲线。第2阶段栅极电流对Cge和Cgc电容充电IGBT的开始开启的过程了集电极电流开始增加达到最大负载电流电流IC由于存在二极管的反向恢复电流因此这个过程与MOS管的过程略有不同同时栅极电压也达到了米勒平台电压。第3阶段栅极电流对Cge和Cgc电容充电这个时候VGE是完全不变的值得我们注意的是Vce的变化非常快。第4阶段栅极电流对Cge和Cgc电容充电随着Vce缓慢变化成稳态电压米勒电容也随着电压的减小而增大。Vge仍旧维持在米勒平台上。第5阶段这个时候栅极电流继续对Cge充电Vge电压开始上升整个IGBT完全打开。我的一个同事在做这个将整个过程等效为一阶过程。如果以这个电路作为驱动电路的话驱动的等效电路可以表示为利用RC的充放电曲线可得出时间和电阻的功率。这么算的话就等于用指数曲线代替了整个上升过程结果与等效的过程还是有些差距的。不过由于C.GEC.CEC.GC是变化的而且电容两端的电压时刻在变化我们无法完全整理出一条思路来。很多供应商都是推荐使用Qg来做运算计算方法也可以整理出来唯一的变化在于Qg是在一定条件下测定的我们并不知道这种做法的容差是多少。我觉得这种做法的最大的问题是把整个Tsw全部作为充放电的时间对此还是略有些疑惑的。说说我个人的看法对这个问题定量的去计算得到整个时间非常困难其实就是仿真也是通过数字建模之后进行实时计算的结果这个模型与实际的条件进行对比也可能有很大的差距。因此如果有人要核算整个栅极控制时序和时间利用电容充电的办法大致给出一个很粗略的结果是可以的如果要精确的算不出来。对于门级电阻来说每次开关都属于瞬态功耗可以使用以前介绍过的电阻的瞬态功率进行验算吧。电阻抗脉冲能力我们选电阻的大小是为了提供足够的电流也是为了足够自身散热情况。前级的三极管这个三极管的速度要非常快否则如果进入饱和的时间不够短在充电的时候将可能有钳制作用因此我对于这个电路的看法是一定要做测试。空载的和带负载的可能情况有很大的差异。栅极驱动的改进历程和办法(针对米勒平台关断特性)
