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RAM 是“Random Access Memory”的缩写#xff0c;被译为随机存储器。所谓“随机存取”#xff0c;指的是当存储器中的消息被读取或写入时#xff0c;所需要的时间与这段信息所在的位置无关。而RAM可随读取其内部任意地址的数据#xff0c;时间都是…常用存储器 RAM 存储器
RAM 是“Random Access Memory”的缩写被译为随机存储器。所谓“随机存取”指的是当存储器中的消息被读取或写入时所需要的时间与这段信息所在的位置无关。而RAM可随读取其内部任意地址的数据时间都是相同的因此得名。实际上现在RAM已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。 根据 RAM 的存储机制又分为动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器 SRAM(Static RAM)两种。
实际应用场合中SRAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存(Cache)而外部扩展的内存一般使用 DRAM。在 STM32 系统的控制器中只有 STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展 SDRAM其它型号如 STM32F1、STM32F2 及 STM32F407 等型号只能扩展SRAM。
DRAM
RAM的一种需要电荷刷新掉电数据丢失动态随机存储器 Dynamic RAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据有电荷代表 1无电荷代表 0。
SDRAM DRAM的一种使用时钟同步进行刷新。由于使用时钟同步的通讯速度更快所以SDRAM 使用更为广泛这种 DRAM 被称为 SDRAM(Synchronous DRAM)。
DDR SDRAM
Double Data Rate SDRAM 进一步提高 SDRAM 的通讯速度DDR SDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 位数据在时钟频率同样的情况下提高了一倍的速度.
SRAM
相对于DRAM电路结构不需要定时刷新充电就能保持状态(当然如果断电了数据还是会丢失的)。 同样地SRAM 根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步 SRAM相对来说异步SRAM 用得比较广泛
ROM 存储器
Read Only Memory原指只读存储器后设计出方便写入的存储器现在一般用于指代非易失性半导体存储器包括FLASH 存储器有些人也把它归到 ROM 类里边。
MASK ROM 不可修改
MASK(掩膜) ROM 就是正宗的“Read Only Memory”存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的生产后就不可修改其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大数据不需要修改的场合还有应用。
OTPROM 可修改一次
OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入但只能写入一次被写入过后它的内容也不可再修改。在 NXP 公司生产的控制器芯片中常使用 OTPROM 来存储密钥或设备独有的 mac 地址等内容。
EPROM 可重复擦写的存储器基本不用
EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器它解决了 PROM 芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰被 EEPROM 取代。
EEPROM 电可重复擦除 单字节写入
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写它的擦除和写入都是直接使用电路控制不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。
FLASH 存储器
1.可重复擦写 2.的容量一般比 EEPROM 大得多 3.在擦除时一般以多个字节为单位一个扇区 4.FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH
NOR 、NAND FLASH 地址线数据线是否复用能不能以单字节读取 NOR与 NAND 的共性是在数据写入前都需要有擦除操作而擦除操作一般是以“扇区 /块”为单位的。而 NOR 与 NAND 特性的差别主要是由于其内部“地址/数据线”是否分 开.
于 NOR 的地址线和数据线分开它可以按“字节”读写数据符合 CPU 的指令译码执行要求所以假如 NOR 上存储了代码指令CPU 给 NOR 一个地址NOR就能向 CPU返回一个数据让 CPU 执行中间不需要额外的处理操作。
于 NAND 的数据和地址线共用只能按“块”来读写数据假如 NAND上存储了代码指令CPU 给 NAND 地址后它无法直接返回该地址的数据所以不符合指令译码要求。若代码存储在 NAND 上可以把它先加载到 RAM 存储器上再由 CPU 执行。
在功能上可以认为 NOR是一种断电后数据不丢失的 RAM但它的擦除单位与 RAM有区别且读写速度比 RAM 要慢得多。
NOR FLASH 一般应用在代码存储的场合如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合包括SD 卡、U 盘以及固态硬盘等都是 NAND FLASH 类型的。
