网站建设修改建议书,东营最新通知今天重要消息,广州网站推广找哪里,wordpress导航栏跟随SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物#xff0c;即百分之五十的硅#xff08;Si#xff09;和百分之五十的碳#xff08;C#xff09;#xff0c;其基本结构单元为 Si-C 四面体。 举个例子#xff0c;Si原子直径大#xff0c;相当于苹果#xff0c;C原子…SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物即百分之五十的硅Si和百分之五十的碳C其基本结构单元为 Si-C 四面体。 举个例子Si原子直径大相当于苹果C原子直径小相当于橘子把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。
SiC 是一种二元化合物其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å这个间距如何理解呢目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm就是30Å的距离光刻精度是原子距离的8倍。
Si-Si键能大小为 310 kJ/mol可以理解键能是把这两个原子拉开的力度键能越大需要拉开的力越大。
Si-C键原子间距为 1.89 Å 键能大小为 447 kJ/mol。
从键能上可以看出相较于传统的硅基半导体材料碳化硅基半导体材料化学性质更加稳定。
从图中看出任意一个C原子都与最邻近的四个Si原子相连反之任意一个Si原子都与最邻近的四个C原子相键连。 SiC 晶体结构还可以采用层状结构方法描述如图所示晶体中的若干C原子均占据在同一平面上的六方格位点中形成一个C原子密排层而Si原子也占据在同一平面上的六方格位点中并形成一个Si原子密排层。
C原子密排层中的每一个C都与最邻近的Si相连接反之Si原子密排层也相同。每两个相邻的 C、Si原子密排层构成一个碳硅双原子层。
SiC晶体的排列组合形式十分丰富目前已发现的SiC晶型达 200 多个。
这个类似俄罗斯方块虽然最小单元方块都一样但方块组合在一起后就拼成出了不同形态。
SiC的空间结构比俄罗斯方块稍微复杂点它的最小单元从小方格变成小四面体由C原子和Si原子组成的四面体。
为了区分 SiC 的不同晶型目前主要采用 Ramsdell 方法进行标记。该方法采用字母与数字相结合的方法来表示SiC 的不同晶型。
其中字母放在后面用来表示晶体的晶胞类型。C 代表立方晶型(英文Cubic首字母)H 代表六方晶型(英文Hexagonal首字母)R 代表菱形晶型(英文Rhombus首字母)。数字放在前面用来表示基本重复单元的Si-C双原子层的层数。
除2H-SiC与3C-SiC外其它晶型均可视为闪锌矿与纤锌矿结构的混合体也就是密排六方结构。 C面是指碳化硅晶片的(000-1)晶面即晶体沿着c轴的负方向切割的表面该表面的终止原子是碳原子。
硅面是指碳化硅晶片的(0001)晶面即晶体沿着c轴的正方向切割的表面该表面的终止原子是硅原子。
C面和硅面的不同会影响碳化硅晶片的物理性能和电学性能如热导率、电导率、载流子迁移率、界面态密度等。
C面和硅面的选择也会影响碳化硅器件的制造工艺和性能如外延生长、离子注入、氧化、金属沉积、接触电阻等。
