安徽网站建设SEO优化制作设计公司,网站建设与维护 前台,网址格式怎么写,随州建设网站对于这些全部页面被无效化的WL#xff0c;执行第二次编程实际上是不必要的#xff0c;但当前的策略并未注意到这一问题。而对于那些既有有效页面又有无效页面#xff08;图11中显示为1到3个#xff09;的WL#xff0c;应当被编程#xff0c;但可以利用这些无效信息来改进…对于这些全部页面被无效化的WL执行第二次编程实际上是不必要的但当前的策略并未注意到这一问题。而对于那些既有有效页面又有无效页面图11中显示为1到3个的WL应当被编程但可以利用这些无效信息来改进性能或可靠性。论文作者提出了提出两种初步解决方案来处理这个问题。 数据重组缓解无效编程对于所有页面都被无效化的WL自然可以跳过第二次编程步骤。但对于包含部分有效页面的WL无论采用何种方式都需要进行数据编程。因此有必要组织WL中的数据使它们在同一速度下被无效化或同时保持有效状态。然而如果放置所有更新频率较低的数据分配给这些数据存储的块可能需要在两次编程步骤之间经历很长的时间间隔这反过来又增加了无效编程的概率。 利用无效页面改进整体性能和可靠性NAND闪存采用格雷码存储数据其中Cell的k位数据相邻电压状态只相差一个比特。通过利用格雷码的特性例如在TLC闪存中如果LSB最低有效位页面是无效的则靠近V3参考电压的两个电压状态S2(X00)和S3(X00)的CSB中间选择位和MSB最高有效位页面将具有相同的数据。因此在精细编程操作期间可以将S2编程到较高的电压而将S3编程到较低的电压从而减少S1与S2以及S3与S4之间的比特错误提高存储系统的可靠性。 这两个初步想法旨在解决3D QLC NAND闪存由于其两步编程策略导致的无效编程问题并为未来的研究提供优化方向。 小编每日撰文不易如果您看完有所受益欢迎点击文章底部左下角“关注”并点击“分享”、“在看”非常感谢
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