阜南做网站,搜索引擎优化seo多少钱,怎样建设自己网站,十大免费cad网站入口软件双极性晶体管#xff1a;NPN和PNP管#xff1b;
单极性晶体管#xff1a;场效应管#xff08;MOSFET和JFET#xff09;#xff1b;
MOS管相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、容易集成等优点。
下面总结下其主要参数与重要特性#xff0c…双极性晶体管NPN和PNP管
单极性晶体管场效应管MOSFET和JFET
MOS管相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、容易集成等优点。
下面总结下其主要参数与重要特性只有比较好的理解了各种参数和特性才能设计出稳健可靠的电路。 主要参数
静态特性参数
BVDSS漏源击穿电压为正温度系数。
BVGS栅源击穿电压
VGS(th)阈值电压为负温度系数。
RDS(on)导通电阻
RGS栅源电阻栅源之间电压与栅极电流之比
IDSS零栅压漏极电流正温度系数
IGSS栅源漏电流特定的栅源电压下流过栅极的电流
动态特性参数
Ciss输入电容漏源短接交流信号测得的栅极和源极之间的电容。
CissCgsCgd输入电容充电到阈值电压时器件开启放电到一定值器件关断因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有直接影响
Coss输出电容栅源短接交流信号测得漏极和源极之间的电容。
CossCdsCgd对于软开关应用可能引起电路谐振
Crss反向传输电容源极接地测得漏极和栅极之间电容等同于Cgd。
也叫做米勒电容对于开关的上升和下降时间及其重要。 Tdon导通延迟时间栅源电压上升到10%栅极驱动电压时到漏电流升到规定电流的90%所经历的时间。
Tdoff关断延时时间栅源电压下降到90%栅极驱动电压时到漏电流下降到规定电流的10%所经历的时间。
Tr上升时间漏极电流从10%上升到90%所经历的时间
Tf下降时间漏极电流从90%下降到10%所经历的时间
NF低频噪声系数噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的由于它的存在可以使放大器在没有信号输入时输出端也会有不规格的电压电流变化。场效应管的噪声系数一般几个分贝比双极性三极管的要小。 重要特性
导通特性
导通的意义是作为开关相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。
损失特性
导通后均有导通电阻存在电流就会被电阻消耗能量这部分叫做导通损耗
小功率的管子导通电阻一般几毫欧几十毫欧Vgs电压不一样电阻也不一样。
管子在导通和截止时两端电压有个降落过程电流有个上升过程在这段时间内
管子的损失是电压和电流的乘积称之为开关损失通常开关损失比导通损失大很
多频率越快损失越大。缩短开关时间降低开关频率均能减小开关损失。
寄生电容驱动特性
GS GD之间存在寄生电容MOS管的驱动理论上是对电容的充放电
对电容的充电需要一个电流由于电容充电瞬间可以看成短路所以瞬间电流会比
较大所以选型时需要注意抗冲击电流大小。
寄生二极管
漏极源极之间有个寄生二极管也叫做体二极管在感性负载马达继电器应用
中主要用来保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中集成芯片中是没有的。
转移特性
场效应管的转移特性是指漏源电压固定时栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性 Vertical D-MOS管2N7002的转移特性VDMOS的跨导gm线性度较好。
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